半導體器件高低溫試驗箱

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半導體(ti) 器件高低溫試驗箱冷凍係統采用進口壓縮機優(you) 化設計組合，運行噪聲更低，性能更優(you) 越,穩定可靠。控製器自動需求量調節冷卻回路，確保壓縮機正常吸排氣溫度，提高壓縮機壽命。製冷係統采用全新冷媒需求量算法，能合理有效地利用製冷量，有效減少冷熱互耗，從(cong) 而達到控製穩定及節能功效，同比節約30%以智能控製係統，快速降溫時自動啟動大壓縮機降溫，高溫保溫及升溫過程以小壓縮機平衡溫度做線性控製。

半導體(ti) 器件高低溫試驗箱技術參數：

型 號     工作室尺寸（mm）  外箱尺寸（mm）

HL-80     400*500*400     950*1650*950

HL-150    500*600*500    1050*1750*1050

HL-225    600*750*500    1200*1900*1150

HL-408    600*800*850    1200*1950*1350

HL-800    1000*1000*800  1600*2000*1450

HL-1000   1000*1000*1000  1600*2100*1450

溫度範圍:A型:25℃～150℃；B型:0℃～150℃；C型:-20℃～150℃；D型:-40℃～150℃；E型:-60℃～150℃；F型:-70℃～150℃

溫度均勻度：≤±2℃  （空載時）

溫度波動度：≤±0、5℃ （空載時）

升溫速率：1、0～3、0℃/min

時間設定範圍：0～999 小時

電源電壓：380V±10%

設備總功率：3KW～13、5KW

半導體(ti) 器件高低溫試驗箱結構：

1、試驗箱箱體(ti) 為(wei) 整體(ti) 結構形式，製冷係統位於(yu) 箱體(ti) 後下部，控製係統位於(yu) 試驗箱的上部。

2、工作室一端的風道夾層內(nei) ，分布加熱器、製冷蒸發器、風葉等裝置；試驗箱左側(ce) 設有Ф50電纜孔，試驗箱為(wei) 單開門。

3、箱門上設有觀察窗、防霜裝置及可開關(guan) 控製的照明燈。觀察窗采用多層中空鋼化玻璃,內(nei) 側(ce) 膠合片式導電膜加熱除霜；照明燈采用進口品牌飛利浦燈管，可有效的觀察工作室內(nei) 的試驗變化。

4、采用雙層耐高溫抗老化矽橡膠密封，可有效保證試驗箱溫度的流失

半導體(ti) 器件高低溫試驗箱滿足標準：

GB/T10589-1989低溫試驗箱技術條件；

GB/T10586-1989濕熱試驗箱技術條件；

GB/T10592-1989半導體(ti) 器件高低溫試驗箱技術條件；

GB2423、1-89低溫試驗Aa，Ab ；

GB2423、3-93（IEC68-2-3）恒定濕熱試驗Ca；

MIL-STD810D方法502、2；

GB/T2423、4-93（MIL-STD810）方法507、2程序3；

GJB150、9-8 濕熱試驗；

GB2423、34-86、MIL-STD883C方法1004、2溫濕度組合循環試驗

IEC68-2-1  試驗A

IEC68-2-2  試驗B 高低溫交變

IEC68-2-14 試驗N

確保精度及外形美觀，各係統具有安全保護功能。

半導體(ti) 器件高低溫試驗箱的詳細介紹：

半導體(ti) 器件高低溫試驗箱 壹叁伍 叁捌肆陸 玖零柒陸 又名高低溫老化箱主要部件均采用進口件。獨特的平衡調溫調濕方式，電熱式蒸汽發生加濕，可調節理想的溫濕度環境。穩定平衡的加熱加濕能力，可進行高精度、高穩定的溫濕度控製，溫濕度儀(yi) 采用進口儀(yi) 表，具有極寬的溫濕度控製範圍，數字式顯示，讀數方便，製冷係統中的冷凝方式采用風冷形式，外箱體(ti) 采用先進數控加工機床製作。